Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
Homeผลิตภัณฑ์อุปกรณ์เสริมโมดูลสมาร์ทอุตสาหกรรมข้อมูลจำเพาะของโมดูลหน่วยความจำ DDR3 UDIMM

ข้อมูลจำเพาะของโมดูลหน่วยความจำ DDR3 UDIMM

ชนิดการชำระเงิน:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
สั่งขั้นต่ำ:
1 Piece/Pieces
การเดินทาง:
Ocean,Air,Express,Land
  • คำอธิบายผลิตภัณฑ์
Overview
คุณสมบัติของผ...

หมายเลขรุ่นNSO4GU3AB

ความสามารถในก...

การเดินทางOcean,Air,Express,Land

ชนิดการชำระเงินL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

บรรจุภัณฑ์ และ...
หน่วยงาน ที่ขาย:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 พิน DDR3 UDIMM


ประวัติการแก้ไข

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

ตารางข้อมูลการสั่งซื้อ

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


คำอธิบาย
Hengstar Unbuffered DDR3 SDRAM DIMMS (โมดูลข้อมูลสองเท่าที่ไม่ได้รับการบัฟเฟอร์แบบซิงโครนัส DRAM โมดูลหน่วยความจำแบบอินไลน์คู่) มีพลังงานต่ำโมดูลหน่วยความจำการทำงานความเร็วสูงที่ใช้อุปกรณ์ DDR3 SDRAM NS04GU3AB เป็น 512M x 64- บิตสองอันดับ 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM ผลิตภัณฑ์ DIMM ที่ไม่ได้รับการบัฟเฟอร์ซึ่งใช้ส่วนประกอบ FBGA 256M 256M x 8-bit SPD ถูกตั้งโปรแกรมให้กับเวลาแฝงมาตรฐาน DDR3-1600 ของ JEDEC ที่ 11-11-11 ที่ 1.5V DIMM 240 พินแต่ละอันใช้นิ้วสัมผัสทองคำ SDRAM Unbuffered DIMM มีไว้สำหรับใช้เป็นหน่วยความจำหลักเมื่อติดตั้งในระบบเช่นพีซีและเวิร์กสเตชัน


คุณสมบัติ
Power Supply: VDD = 1.5V (1.425V ถึง 1.575V)
VDDQ = 1.5V (1.425V ถึง 1.575V)
800MHz FCK สำหรับ 1600MB/วินาที/พิน
8ธนาคารภายในอิสระ
 Latency CAS ที่ตั้งโปรแกรมได้: 11, 10, 9, 8, 7, 6
latency Additive Additive Latency: 0, Cl - 2 หรือ Cl - 1 นาฬิกา
8บิตล่วงหน้า
ความยาวเบิร์สต์: 8 (interleave โดยไม่มีขีด จำกัด ใด ๆ ตามลำดับที่อยู่ที่อยู่เริ่มต้น“ 000” เท่านั้น), 4 กับ TCCD = 4 ซึ่งไม่อนุญาตให้อ่านหรือเขียนได้อย่างไร้รอยต่อ [ไม่ว่าจะโดยใช้ A12 หรือ MRS]
data data data data data
การสอบเทียบ (ตนเอง) การสอบเทียบตนเองภายในผ่าน ZQ PIN (RZQ: 240 OHM ± 1%)
การเลิกตายโดยใช้ PIN ODT
ช่วงเวลาการรีเฟรชค่าเฉลี่ย 7.8US ที่ต่ำกว่า TCASE 85 ° C, 3.9US ที่ 85 ° C <TCASE <95 ° C
การรีเซ็ต asynchronous
ความแข็งแรงของไดรฟ์ข้อมูลที่ปรับได้ไม่ได้
topology
PCB: ความสูง 1.18” (30 มม.)
 Rohs เป็นไปตามข้อกำหนดและปราศจากฮาโลเจน


พารามิเตอร์เวลาที่สำคัญ

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


ตารางที่อยู่

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


คำอธิบายพิน

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

หมายเหตุ ตารางคำอธิบายพินด้านล่างเป็นรายการที่ครอบคลุมของพินที่เป็นไปได้ทั้งหมดสำหรับโมดูล DDR3 ทั้งหมด พินทั้งหมดที่ระบุไว้ในพฤษภาคม ไม่ได้รับการสนับสนุนในโมดูลนี้ ดูการกำหนด PIN สำหรับข้อมูลเฉพาะสำหรับโมดูลนี้


ไดอะแกรมบล็อกการทำงาน

4GB, 512MX64 โมดูล (2RANK ของ X8)

1


2


บันทึก:
1. ลูกบอล ZQ ในแต่ละองค์ประกอบ DDR3 เชื่อมต่อกับตัวต้านทาน240Ω± 1% ภายนอกที่เชื่อมโยงกับพื้น มันถูกใช้สำหรับการสอบเทียบของไดรเวอร์การเลิกจ้างและเอาต์พุตของส่วนประกอบ



ขนาดของโมดูล


มุมมองด้านหน้า

3

มุมมองด้านหน้า

4

หมายเหตุ:
1. ขนาดทั้งหมดอยู่ในมิลลิเมตร (นิ้ว); สูงสุด/นาทีหรือทั่วไป (typ) ที่ระบุไว้
2. การยอมรับในทุกมิติ± 0.15 มม. เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น
3. ไดอะแกรมมิติสำหรับการอ้างอิงเท่านั้น

ประเภทผลิตภัณฑ์ : อุปกรณ์เสริมโมดูลสมาร์ทอุตสาหกรรม

อีเมล์ให้ผู้ขายนี้
  • *ชื่อเรื่อง:
  • *ไปยัง:
    Mr. Jummary
  • *อีเมล:
  • *ข้อความ:
    ข้อความของคุณต้องอยู่ระหว่าง 20-8000 ตัว
Homeผลิตภัณฑ์อุปกรณ์เสริมโมดูลสมาร์ทอุตสาหกรรมข้อมูลจำเพาะของโมดูลหน่วยความจำ DDR3 UDIMM
ส่งคำถาม
*
*

บ้าน

Product

Phone

เกี่ยวกับเรา

สอบถาม

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

ส่ง